IVD體外診斷設(shè)備EMC測(cè)試/GB/T18268.1/GB/T18268.26/IEC 61326-1/IEC 61326-2-6
GB/T18268.1-2010測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備電磁兼容性要求,第一部分:通用要求
GB/T18268.26-2010 測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備 電磁兼容性要求第26部分:特殊要求 體外診斷(IVD)醫(yī)療設(shè)備
對(duì)應(yīng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC 61326-1;IEC 61326-2-6;
GB/T18268.1-2010《測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備電磁兼容性要求,第一部分:通用要求》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)發(fā)布的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了為專業(yè)、工業(yè)過程、工業(yè)制造和教育使用的電設(shè)備的電磁兼容性抗擾度和發(fā)射要求。
GB/T18268.1-2010測(cè)試主要內(nèi)容
1. 電磁兼容試驗(yàn)基本要求
外殼端口:靜電放電試驗(yàn)、射頻電磁場(chǎng)輻射試驗(yàn)。
交流電源端口:脈沖群、浪涌、傳導(dǎo)抗擾度、電壓暫降、電壓中斷。
直流電源端口:脈沖群、傳導(dǎo)抗擾度。
I/O信號(hào)和控制端口:脈沖群、傳導(dǎo)抗擾度。
直接和電源相連的I/O信號(hào)和控制端口:脈沖群、傳導(dǎo)抗擾度。
2. 工業(yè)場(chǎng)所用設(shè)備的抗擾度試驗(yàn)要求
在工業(yè)場(chǎng)所中,除了上述基本要求外,還增加了工頻磁場(chǎng)試驗(yàn)。
3. 在受控電磁環(huán)境中使用的設(shè)備的電磁兼容試驗(yàn)要求
這類設(shè)備需要滿足更為嚴(yán)格的電磁兼容要求,包括靜電放電試驗(yàn)、射頻電磁場(chǎng)輻射試驗(yàn)、電壓暫降、脈沖群、浪涌、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾等。
4. 電磁兼容發(fā)射試驗(yàn)檢測(cè)項(xiàng)目
傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)
輻射發(fā)射試驗(yàn)
諧波電流試驗(yàn)
電壓波動(dòng)和閃爍試驗(yàn)
GB/T18268.26-2010 測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備 電磁兼容性要求第26部分:特殊要求 體外診斷(IVD)醫(yī)療設(shè)備
本部分適用于體外診斷(IVD)醫(yī)療設(shè)備,這些設(shè)備主要用于收集、準(zhǔn)備和檢查樣本測(cè)試來提供醫(yī)療診斷或其他用途。規(guī)定了其電磁兼容性的抗擾度和發(fā)射的基本要求。
1、體外診斷(IVD)醫(yī)療設(shè)備的最低抗擾度要求
外殼端口:靜電放電試驗(yàn),輻射電磁場(chǎng)試驗(yàn),額定工頻磁場(chǎng)試驗(yàn)
交流電源端口:電壓暫降試驗(yàn),電壓中斷試驗(yàn),脈沖群試驗(yàn),浪涌試驗(yàn),射頻傳導(dǎo)試驗(yàn)
直流端口:脈沖群試驗(yàn),浪涌試驗(yàn),射頻傳導(dǎo)試驗(yàn)
I/O信號(hào)端口:脈沖群、浪涌、傳導(dǎo)抗擾度。
接主電源的I/O信號(hào)端口:脈沖群、浪涌、傳導(dǎo)抗擾度。
2、電磁兼容發(fā)射試驗(yàn)檢測(cè)項(xiàng)目
傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)
輻射發(fā)射試驗(yàn)
諧波電流試驗(yàn)
電壓波動(dòng)和閃爍試驗(yàn)
特別關(guān)注點(diǎn):EMC該標(biāo)準(zhǔn)最容易不合格的項(xiàng)目:
1、靜電放電抗擾度
模擬操作人員或物體在接觸設(shè)備時(shí)的放電以及人或物體對(duì)鄰近物體的放電。
2、電快速脈沖群
模擬對(duì)電感性負(fù)載的切換(如繼電器、接觸器);對(duì)高壓開關(guān)的切換(如真空開關(guān)、六氟化硫)設(shè)備的干擾。放電波形為5ns/50ns(上升沿5ns,半波時(shí)間50ns)的脈沖串,脈沖串持續(xù)時(shí)間15ms,脈沖周期為300ms。特點(diǎn)是上升時(shí)間快、持續(xù)時(shí)間短、能量低,但有較高的重復(fù)頻率。
3、輻射發(fā)射
測(cè)試通過空間傳播的電磁能量。
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